04 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리를 비교하여 설명하시오.
휘발성 메모리 : 저장된 정보를 유지하기 위해 전력이 필요한 메모리 유형.
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DRAM(동적 램)
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비트(0 또는 1)를 커패시터에 충전하여 저장한다. (1/1000초)
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일정 시간마다 전기를 공급해 메모리의 정보를 재생시킨다.
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SRAM(정적 램)
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전원이 공급되고 있다면 그 내용이 계속 보존된다
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비트(0 또는 1)을 트랜지스터에 저장한다.
비휘발성 메모리 : 전원이 공급되지 않아도 저장된 정보를 계속 유지하는 메모리.
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ROM(Read Only Memory)
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내용을 읽을 수 있지만 바꿀 수 없는 메모리
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기본적인 운영 체제 기능이나 인터프리터를 내장시키기 위해 사용
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정보를 다시 쓰고 지울 수 있는 방식에 따라 여러 종류가 있다. (MASK ROM, PROM, Flash Memory 등)
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Flash Memory
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MOSFET에 플로팅 게이트라는 구조를 추가하여 생성
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NAND(데이터 저장)형과 NOR(코드 저장)형으로 구분된다.
05 DDR SDRAM에 대해 설명하시오
SDRAM이란
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발전된 형태의 DRAM.
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클록틱(클록펄스)이 발생할 때 마다 데이터를 저장한다.
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동기식 DRAM → 요청(클록틱)과 응답(데이터 저장)이 동시에 일어난다
DDR SDRAM이란
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SDRAM의 대역폭을 늘려 데이터 입출력 속도를 빠르게 했다.
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DDR SDRAM의 경우 대역폭이 SDRAM에 비해서 2배 더 크다
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DDR2 SDRAM의 경우 대역폭이 SDRAM에 비해서 4배 더 크다
04, 05 참고
06 스풀에 대해 설명하시오
CPU와 입출력장치가 독립적으로 동작하도록 고안된 소프트웨어적인 버퍼. (Simultaneous Peripheral Operation On-Line)
→ 교차해서 동작될 수 없는 장치에 사용
예시) 프린터 출력.
CPU의 처리속도(1초)를 프린터의 처리속도(10초)가 따라가지 못하기 때문에, 하드디스크에 프린터로 전송될 데이터를 임시로 저장해둔다. 프린터가 출력 데이터를 처리하는 사이 CPU는 다른 작업을 할 수 있다.
07 즉시 쓰기 방식의 캐시와 지연 쓰기 방식의 캐시를 비교하여 설명하시오.
캐시에 있는 데이터가 변경되는 경우 이를 반영해야 하는 문제
→ 캐시의 변경된 데이터를 메모리에 반영하는 데에는 즉시 쓰기와 지연 쓰기가 있다
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즉시 쓰기 : 캐시메모리에 있는 데이터가 변경되면 이를 즉시 메인메모리에 반영하는 방식
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언제나 메인 메모리에 써야 하므로 성능이 좋지 않다.
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지연 쓰기 : 변경된 내용을 캐시 메모리의 블록에 모아서 태그를 해둔다. 태그된 블록시 삭제되기 전에 메인 메모리에 저장한다.
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메인 메모리와 캐시 메모리 간의 데이터가 불일치 할 수 있다.
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어느 것이 유효한 데이터인지 모른다.
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설계, 구현이 어렵다.